以金屬–氧化物–半導體(MOS)器件為基礎的積體電路。MOS積體電路中最常用的是由N–MOSFET和P–MOSFET串聯構成的CMOS積體電路。製造的工藝過程是在P形矽襯底擴散磷合金形成N阱，再用離子註入法形成溝道阻止層，在器件區域週邊用LOCOS（矽的局部氧化）工藝形成氧化膜，進行器件隔離。在器件區域形成數納米至數十納米的柵極氧化膜後，再澱積多晶矽層，刻蝕形成柵極佈線圖形。然後以柵極佈線為掩模，利用自對準技術形成源區和漏區。澱積較厚的絕緣膜後，形成接觸窗窗口，進行鋁佈線。
MOS倒相器
當用MOSFET技術制造集成電路時，與雙極型集成電路相比，MOS集成電路的特點是：①在結構上是表面器件，不需埋層和外延生長，器件的隔離比較容易，從而結構、工藝簡單，占用面積小。②MOS場效應管(MOSFET)為雙向器件（源、漏結構對稱），又有多晶矽作為一層佈線層。佈線方便，設計靈活，版圖占面積小。③倒相器的負載可用MOSFET來代替電阻元件。由於MOSFET占的面積比電阻小，所占襯底的面積也小。此外，用MOSFET作為負載，有效電阻值大，可制成低功耗的電路，更適宜於高密度集成。④MOS集成電路具有動態工作獨特的能力。⑤MOS場效應管是多子器件，溫度特性好。但矽MOS集成電路的速度還比不上ECL等高速雙極集成電路。一般MOS集成電路的功耗低，集成度高，宜於數字應用；雙極型集成電路則適用於高速數字和模擬方面。
為提高集成電路的集成度，必須在減小各個器件占有襯底面積的同時，盡可能地減小發熱量以便於封裝。從這一角度考慮，采用MOSFET技術制造集成電路是主流方向。另外，與電流驅動雙極型器件相比，MOSFET容易受到負載容量的影響。從而，對工作速度要求高的集成電路，常采用雙極型器件或GaAsMOSFET；而對存儲器等集成度要求高的集成電路，常用MOSFET。
邏輯電路的基本電路是倒相器電路，它由驅動MOSFET和負載構成。在MOS倒相器電路中，幾乎都不用電阻作為負載，而用MOSFET作為負載。根據負載的不同，MOS倒相器可分為三類，如圖所示。a為EE倒相器電路。負載FET、驅動FET均由PMOS增強型（柵極與源極之間的電壓為0伏時，晶體管處於截止狀態）FET構成。b為ED倒相器電路。負載FET采用NMOS耗盡型（柵極與源極之向的電壓為0伏時，晶體管處於導通狀態）FET；驅動FET采用NMOS增強型FET。c為CMOS倒相器電路。由增強型PMOSFET和增強型NMOSFET串聯構成。負載FET和驅動FET沒有區別。