電工領域用於製作半導體器件的材料。是元素週期表中第4週期第Ⅳ族的元素,化學符號Ge,原子序數32,屬金剛石型結構,晶格常數5.66×10-10m,熔點937.4℃,禁帶寬度為0.803電子伏,是呈銀白色金屬光澤的半金屬材料。鍺於1948年即進入實用階段。由於鍺是稀有元素,資源不如矽豐富,價格較高,且鍺器件製作也不象矽器件那樣能夠實現平面工藝,故大部分半導體器件不選用鍺而選用矽作材料。。但鍺的電子遷移率和空穴遷移率比矽大,適用於超高速轉換開關電路,因而在高頻快速低噪聲的領域,鍺器件的優點是矽器件不能代替的。鍺常用來制造晶體二極管、三極管和集成電路,用於電子工業的各個領域;制造熱敏電阻、光敏電阻和半導體溫度計,用於溫度測量和設備的自動控制;制造太陽能電池、光電池用作人造衛星、航天飛機等的電源。制造器件主要用單晶,影響單晶質量的關鍵因素是晶格缺陷和雜質。