以P溝道MOS場效應電晶體為基本元件的積體電路，簡稱PMOS。圖為鋁柵PMOS電路的基本組成部分。襯底是N型矽片，柵為金屬鋁。兩個鄰近的P型擴散區和跨於兩擴散區的鋁柵，連同襯底構成一個P溝道MOS電晶體。鋁柵PMOS電路中各元件之間，可用與鋁柵同時形成的鋁線或與源、漏區同時形成的擴散線進行連接。
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鋁柵PMOS電路中有場MOS晶體管和PNP雙極型晶體管兩種寄生晶體管效應。①寄生場MOS晶體管:圖右邊兩個P型擴散區被一條隔著厚氧化層的鋁線跨接，也形成一個MOS晶體管（此區氧化層較厚，稱為場區），這一晶體管稱為場MOS晶體管。加大場氧化層厚度，使此寄生管的閾值電壓低於電路中的最低電位，以保證所有場MOS管始終處於截止狀態，從而可消除這種寄生影響。②寄生PNP雙極型晶體管：任何兩個相鄰的P型擴散區和N型襯底都能形成一個橫向的PNP雙極型晶體管。因此，一般須在襯底（對源）加一個適當的正電壓，使所有P型擴散區和N型襯底間的PN結處於反向偏置或零偏置，以消除這種寄生管的作用。因此，鋁柵PMOS中各元件之間是自然隔離的，無需占用額外的芯片面積進行隔離。
P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低，因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導小於N溝道MOS晶體管。此外，P溝道MOS晶體管閾值電壓的絕對值一般偏高，要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性，與雙極型晶體管-晶體管邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大，充電放電過程長，加之器件跨導小，所以工作速度更低，在NMOS電路(見N溝道金屬-氧化物-半導體集成電路)出現之後，多數已為NMOS電路所取代。隻是，因PMOS電路工藝簡單，價格便宜，有些中規模和小規模數字控制電路仍采用PMOS電路技術。